TLP 測(cè)試儀的檢測(cè)原理及檢測(cè)目的

一、TLP的目的

TLP是Transmission Line Pulse的縮寫(xiě)，當(dāng)存儲(chǔ)在同軸電纜中的電荷被發(fā)射時(shí)，得到方波。
該特性可用于調(diào)查IC的保護(hù)電路特性。
重要的一點(diǎn)是方波的上升時(shí)間。保護(hù)電路的特性隨上升時(shí)間的變化而變化。因此，作為該器件的一個(gè)點(diǎn)，可以將上升時(shí)間從高速變?yōu)榈退偈呛苤匾摹?/span>
作為目標(biāo)上升，希望實(shí)現(xiàn)比200ps更快的高速上升。

2.TLP理論

TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法
主要有三種。
(1) TDR (Time Domain Refraction )
    使用DUT反射的波形的方法
(2) TDT (Time Domain Transmission)
    如何確定通過(guò)DUT的波形
(3) TDTR (Time Domain Transmission and Refraction) )
    以上兩種類(lèi)型都使用。

圖 1 顯示了 TDR 方法。

電壓波形通過(guò)在放電通路上直接連接示波器來(lái)確認(rèn)，電流波形通過(guò)在放電通路上插入電流探頭來(lái)確認(rèn)。
在 TDT 方法中，圖 1 中的示波器和 DUT 的位置是相反的。
在TLP測(cè)試中，可以通過(guò)使用濾波器來(lái)改變上升時(shí)間，但脈沖寬度取決于充電同軸電纜的長(zhǎng)度。

圖 2 顯示了 TLP 的電路配置。

T=2 L1/VT為脈寬（ns），L1為同軸電纜長(zhǎng)度（mm）

　　　　　　V=2.0×10^8m/s（例）當(dāng)L1=20（m）T=200（ns）

圖 3 是入射到 DUT 并被*消耗時(shí)的波形，可以用圖 2 中的電壓表（示波器）確認(rèn)。
考慮到L2長(zhǎng)10mm、DUT短的情況，分別確認(rèn)入射波和反射波時(shí)的波形如圖4左圖所示。

可以用電壓表確認(rèn)的波形如圖4右側(cè)所示。

同樣，可以用電流表（電流探頭）確認(rèn)的波形如圖 5 右側(cè)所示。

TLP測(cè)試儀陣容

它是一種模擬保護(hù)電路工作特性的裝置。
它對(duì)于收集和分析內(nèi)置于集成電路中的保護(hù)電路的工作參數(shù)非常有用。
VFTLP 測(cè)試也是可能的。

產(chǎn)品名稱/型號(hào)	設(shè)備描述	目錄	電影
HED-T5000 HED-T5000VF	配備先進(jìn)的測(cè)試模式。我們有一個(gè)正常測(cè)試，應(yīng)用脈沖寬度為 100 ns / 200 ns，以及一個(gè) VFTLP（非常快速 TLP）測(cè)試模式，應(yīng)用寬度減少到 1 ns。 它對(duì)于驗(yàn)證具有 ESD 電阻的 HBM / CDM 測(cè)試很有用。您可以使用標(biāo)準(zhǔn)示波器檢查設(shè)備引腳的入射波和設(shè)備引腳的反射波。 該數(shù)據(jù)被保存并顯示在專(zhuān)用監(jiān)視器上。可以在專(zhuān)用監(jiān)視器上跟蹤入射/反射波的總值、回彈特性、通過(guò) Vf/Im 測(cè)量的泄漏測(cè)量值等。 來(lái)自示波器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)允許算術(shù)處理的高度自由。例如，您可以通過(guò)在工藝發(fā)生變化的晶體管的導(dǎo)通電壓和可通過(guò)保護(hù)電路的最大電流值上疊加跡線來(lái)檢查差異。 它還可以連接到半自動(dòng)探測(cè)器以自動(dòng)執(zhí)行 TLP 測(cè)試。 由于可以在Wafer上的應(yīng)用引腳和芯片之間進(jìn)行自動(dòng)移位和自動(dòng)測(cè)量，因此大大提高了測(cè)試效率。	點(diǎn)擊
HED-T5000-HC	目前，對(duì)高集成度、高頻率和高耐壓的器件的需求日益增加。 該設(shè)備可以測(cè)量傳統(tǒng)TLP無(wú)法覆蓋的高壓和大電流特性，有助于獲取和分析高壓元件的運(yùn)行參數(shù)。